ULTRARAM camino a la Memoria Universal del siglo 21

ULTRARAM

ULTRARAM: el camino de la ciencia hacia el desarrollo de semiconductores, no volátiles y aleatorios

Acceder a la memoria ULTRAMAM

ULTRARAM es un concepto de memoria de semiconductores compuestos III-V que explota la tunelización resonante cuántica.

Y le permite lograr la no volatilidad a una energía de conmutación extremadamente baja por unidad de área.

Los dispositivos prototipo se fabrican en una formación de matriz de memoria de 2 × 2 sobre sustratos de GaAs.
Los dispositivos muestran un contraste de estado 0/1 de los ciclos de programa / borrado (P / E) con pulsos de 2,5 V de 500 µs de duración.

Con una velocidad de conmutación notable para una longitud de puerta de 20 µm.

La retención de memoria se prueba durante 8 × 104 s, por lo que los estados 0/1 muestran un contraste adecuado en todo momento.

Mientras que en paralelo se realizan operaciones de lectura de 8 × 104.

Se demuestra una mayor confiabilidad a través del ciclo de resistencia programa-lectura-borrado-lectura durante 106 ciclos
con contraste 0/1.

Arquitectura Matriz

Una arquitectura de matriz de medio voltaje propuesta el trabajo anterior de los ingenieros de Lancaster se realiza experi-mentalmente, con una tasa de perturbación extraordinariamente pequeña en 105 ciclos de medio voltaje.

Términos de índice: InAs / AlSb, memoria, memoria no volátil (NVM), RAM no volátil (NVRAM), tunelización resonante.

ULTRARAM revolucionaría la industria

Memoria Universal

Una “memoria universal” debe combinar los mejores aspectos de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) y flash.

En esencia, debe tener estados lógicos muy robustos que puedan, sin embargo, se puede cambiar fácilmente.

Como la naturaleza de estos requisitos parece ser contradictoria, la opinión ampliamente aceptada es que la memoria universal es inviable o casi imposible.
ULTRARAM 1 es una nueva memoria de semiconductores compuestos III-V que utiliza los inusuales desplazamientos de banda.

En particular, el desplazamiento de banda de conducción extraordinariamente grande
de InAs / AlSb (2.1 eV) proporciona barreras de electrones similares a las de dieléctricos para lograr la no volatilidad.

Al igual que el flash, el estado lógico se define por la carga (electrones) almacenada dentro de una puerta flotante (FG).

Sin embargo, en ULTRARAM electrones se transportan dentro y fuera del FG a través de triple barrera.
Estructura de tunelización resonante (TBRT) formada a partir de InAs / AlSb hetero-uniones.

Esto resuelve la paradoja del universal memoria, ya que la estructura de túnel proporciona una alta energía barrera cuando no hay polarización aplicada, pero permite tunelización resonante (es decir, barreras transparentes) en voltajes de programa / borrado (P / E) de alrededor de 2.5 V, aproximadamente diez veces más bajo que el flash.
Estas características se predicen mediante simulaciones de transporte cuántico y se han demostrado previamente en dispositivos individuales a temperatura ambiente.
La intrincada física del mecanismo de túnel utilizado aquí y una comparación de ULTRARAM con las tecnologías de memoria actuales y emergentes se describen en detalle en el trabajo anterior de los investigadores de la Universidad de Lancaster para el lector interesado.

Además, los dispositivos superan a otras memorias basadas en tunelización resonante.

Ubicada en los puntos de referencia de resistencia con al menos un tiempo de retención lógica similar.

Lo más importante es que el diseño FG permite una matriz de alta densidad arquitecturas y la posibilidad de una lectura enormemente mejorada (1/0) contraste.

IT CONNECT LATAM

Información de valor para ejecutivos que toman decisiones de negocios

Además, la corriente a través de la puerta durante los ciclos P / E es extremadamente pequeño, reduciendo significativamente el consumo de energía de la memoria en comparación.
Los prototipos iniciales de dispositivos unicelulares exhibieron una limitada resis-tencia a pesar de la extraordinaria conducción InAs / AlSb, con desplazamiento de banda y conmutación a voltajes extremadamente bajos.

Esto era sin duda el resultado de una gran fuga (miliamperios) en el orificio corriente que pasa desde el terminal de la puerta de control (CG) al terminal de fuente / drenaje (S / D) debido a la banda de baja valencia de desplazamiento de la heterounión InAs / AlSb de solo 0,1 eV.

Aquí, el diseño se modifica en Incluir un dieléctrico de puerta de Al2O3 formado a través de la deposición de la capa atómica (ALD).

Esta capa proporciona las compensaciones de banda necesarias con InAs para bloquear todas las portadoras.

Las cuales fluyen a través del CG pero requiere la tunelización de la memoria y la estructura que se invertirá de modo que la tunelización de los ciclos P / E
ocurre desde la fuente de la célula.

Las transformaciones en curso solo marcan un rumbo con apariencia fascinante para quienes vemos en la innovación una fuente de recursos inagotables.

Por Marcelo Lozano – General Publisher IT Connect Latam

 

ULTRARAM,

ULTRARAM,

ULTRARAM,

ULTRARAM,

ULTRARAM,

ULTRARAM, 

 

92 / 100